En la electrónica, el Transistor Darlington es un dispositivo semicondutor que combina dos transístores bipolares en el mismo encapsulamento (a veces llamado par Darlington).
La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero Sidney Darlington de los Laboratorios Bell. La idea de por dos o tres transistores en un mismo chip fue patentada por él, pero no la idea de por un número arbitrario de transistores, lo que originaría el concepto moderno de circuitos integrados.
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente (hFE o parâmetro β del transistor) y, por estar todo integrado, requiere menos espacio del que lo de los transistores normales en la misma configuración. La Ganancia total del Darlington es producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia de corriente de 1000 o superior. Comparado a un transistor común, presenta una mayor defasagem en altas frecuencias, por eso puede hacerse fácilmente instavel. La tensión base-emisor también es mayor. consiste de la suma de las tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.
Freddy Vallenilla, CAF
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